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本文在过流冷却技术的基础上提出了转棒诱导形核法半固态浆料制备方法,自行设计和制作了转棒诱导形核法浆料制备设备,并设计组装了与之相结合的立式离心机。采用转棒诱导形核法制备A1-25%Si半固态合金浆料,并对半固态浆料进行离心成形获得筒形铸件。还对A1-25%Si合金进行了P变质处理和P+转棒的复合处理,最后利用TP700多路温度记录仪测定熔体在转棒上温度的变化。结果表明：转棒诱导形核法对A1-25%Si合金熔体凝固有着显著的诱导形核作用,既可细化初生硅(Si),又能细化共晶硅,但不同工艺参数下转棒的诱导形核作用有所不同。随着转棒转速的提高,转棒的诱导形核作用并非呈单一的增强趋势,而是先增强后反而减弱。随着浇注温度的提高,转棒的诱导形核作用则逐渐减弱。当浇注温度为785℃(接近液相线775℃),转棒转速为500-600r/min时,A1-25%Si合金熔体在转棒上充分铺展,形成较薄的合金液膜,转棒对A1-25%Si合金熔体的诱导形核作用最佳。半固态浆料中初生硅(Si)的平均尺寸由铸态的200～300μm减小至27±5μm,形状因子达0.8,单位面积内初生硅的个数为60个/mm2,分布也较为均匀。与P变质处理相比,转棒诱导形核法对浆料组织中初生硅(Si)以及共晶硅的细化更优,初生硅(Si)的平均尺寸仅为P变质处理(约50μm)的一半,单位面积内初生硅(Si)的个数约为P变质处理(40个/mm2)的1.5倍。与P+转棒的复合处理相比,虽然单位面积内初生硅(Si)的个数约为复合处理的一半,但在浆料组织的细化程度上两者并无明显差异。与常规离心成形筒形铸件相比,经过转棒诱导形核处理的半固态合金浆料离心成形筒形铸件,在组织上有了明显改善,但由于熔体流动性的下降,铸件表面存在少量冷隔,内部组织分布均匀度有待提高。