【摘 要】
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该文主要讨论ITO/PTCDA/P-Si/Al光电探测器的制做及参数.首先,该文对光电探测器的原理和参数进行了分析,并以PIN和雪崩光电二极管为例给出了探测器的各项性能参数.其次,就PTC
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该文主要讨论ITO/PTCDA/P-Si/Al光电探测器的制做及参数.首先,该文对光电探测器的原理和参数进行了分析,并以PIN和雪崩光电二极管为例给出了探测器的各项性能参数.其次,就PTCDA的晶体结构、折射率等材料和提纯方法进行了全面的叙述,并且详细讨论了PTCDA/P-Si势垒的各项电学特性并对其势垒形成进行了详细讨论,随后,该文分析了ITO膜的光学和电学特性.具备以上基础之后,我们在探索中总结经验教训,达到工艺上的成熟,最终成功地将PTCDA制作成可运用器件ITO/PTCDA/P-Si/Al光电探测器,封装成成品后其对参数进行测试,包括光电流、暗电流、响应度、响应时间以及热稳定性的测试,并给出了测试原理图及最终测试结果.最后,我们选择市面上出售的几种光电探测器进行对比测试,给出测试结果并对其讨论论证该产品的优越性.
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