多晶铜CVD方法生长石墨烯的表征

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本文通过STM,AES,LEED,Raman光谱等多种实验手段对多晶铜箔上通过CVD方法生长的石墨烯进行了一系列的详细表征。首次观测到在铜的高指数面Cu(410)-0可以生长出高品质的单层石墨烯,石墨烯有三种优势取向分别为石墨烯的[211]方向与Cu[001]的方向夹角为0±2°,±21±2°;石墨烯晶格结构周期受到Cu(410)-0的晶格结构周期的调制,形成一种与Cu(410)-0的晶格结构周期相同的新的超结构。此外,还观察到间距为2.6nm的莫尔条纹。
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