SiC垂直功率MOSFET是电力电子器件领域的热门研究课题之一。本文在功率器件理论的基础上,设计了两种SiC垂直功率MOSFET,即SiC VDMOS结构和SiC UMOS结构,并采用ISE TCAD 7.0软件分别对它们进行了仿真。对VDMOS结构,分别采用6H-SiC和4H-SiC作为衬底材料,对比研究了两者的特性区别,结果表明在Vgs为8V时,4H-SiC VDMOS的漏极电流比6H-SiC高约1.5倍,证实了由于4H-SiC具有较高的体迁移率,且受准饱和效应的影响较小,因此比6H-SiC器件具有更高的饱和电流密度。对器件开关时间和单位面积损耗的分析表明,4H-SiC比6H-SiC更适合用于VDMOS功率器件。在此基础上还分析了栅氧化层厚度和沟道长度对SiC VDMOS结构特性的影响,对阈值电压和漏极电流的分析表明,当Vds=0.1,Vgs=15V时,阈值电压随栅氧化层厚度的增大以及沟道长度的增加而增大;而漏极电流密度随栅氧化层厚度的增加以及沟道长度的增加而减小。而对4H-SiC UMOS结构,首先分析了器件的基本性能,得出其栅控能力良好,且具有较高的击穿电压(4.5KV),然后分析了UMOS器件的栅氧化层厚度和P基区掺杂浓度对转移特性的影响。结果表明,随氧化层厚度的增加,阈值电压增大,且随P区掺杂浓度的增加,阈值电压也增大,并对其机制进行了初步讨论,本文的研究工作对SiC垂直功率MOSFET的优化设计有一定的意义。