毫米波频段拥有丰富的频谱资源，适合于高速通信，其中不同的子频带又有不同的大气吸收特性，因而带来了丰富的应用:77 GHz汽车雷达，60 GHz Gbps短距离通信，E-Band Gbps毫米波回传，毫米波成像。随着硅基工艺进入纳米节点，特征频率逐步提高到数百GHz，具备了制作毫米波电路的能力。硅基工艺相较于化合物半导体工艺，具有低成本，高集成度的优势，促进了毫米波系统的民用化和小型化。因此，研究硅基毫米波电路与系统具有重要意义。　　硅基毫米波电路设计与低频电路设计存在较大的差异，不同频带的毫米波电路设计面临一系列共性问题。因此，本文旨在通过设计一款V波段低噪声放大器，解决一些毫米波电路设计的共性问题。本文的主要工作有:　　1.分析了低噪声放大器的基本理论以及性能指标，结合毫米波频段的特殊性，分析了几种常见电路结构的优缺点。　　2.进行了电感和变压器的电磁仿真和建模工作。分析了一系列不同尺寸电感的模型参数，建立了电感几何参数与模型参数之间的公式关系，简化了设计流程。分析了平面结构和叠层结构两种变压器的耦合性能。　　3.分析了偏置电流密度，栅指宽度以及版图寄生效应对晶体管fmax和NFmin的影响，在增益、噪声和功耗之间进行折中后，选择偏置电流密度为150μA/μm，栅指宽度1μm。　　4.设计了有源和无源器件的测试结构，分析了各种去嵌手段在毫米波频段的性能，采用精确度较高的直通-反射-传输线(TRL)方法设计了去嵌组件。　　5.在中芯国际(SMIC)55 nm RF CMOS工艺上，设计了一款V波段三级差分低噪声放大器。采用交叉耦合的中和电容消除栅漏寄生电容的影响，以提高增益和反向隔离度，采用变压器进行增益级之间的耦合以方便芯片布局与减小芯片面积。对版图进行后仿真，结果显示:在57～64 GHz频带，输入输出反射系数均小于-10 dB。增益在61.1 GHz达到最大值19.07 dB，在频带内增益大于16.8 dB。噪声系数在61 GHz达到最低值6.06 dB，整个频带内均小于6.9 dB。在整个频带内，低噪声放大器满足稳定性条件。60 GHz时的输出1 dB压缩点为2.33 dBm。功耗35.4 mW，芯片面积740×430μm2。