【摘 要】
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氧化镉作为一种宽禁带(Eg=2.3eV)直接带隙化合物半导体，对应的波长处于太阳光谱在可见光波段能量最强值510nm附近。CdO以其高载流子浓度、高迁移率、高透过率以及在室温下就可获得高质量的薄膜等特点，被人们广泛的应用于透明电极、热反射镜，气敏传感器等。由于CdO薄膜的禁带宽度，在可见光透明率高，因此近几年来被人们用作CdS的替代材料，与CdTe、CuInSe_2以及Si等形成异质结太阳能电池，
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氧化镉作为一种宽禁带(Eg=2.3eV)直接带隙化合物半导体，对应的波长处于太阳光谱在可见光波段能量最强值510nm附近。CdO以其高载流子浓度、高迁移率、高透过率以及在室温下就可获得高质量的薄膜等特点，被人们广泛的应用于透明电极、热反射镜，气敏传感器等。由于CdO薄膜的禁带宽度，在可见光透明率高，因此近几年来被人们用作CdS的替代材料，与CdTe、CuInSe_2以及Si等形成异质结太阳能电池，并取得了良好的效果。本文系统的总结CdO薄膜的各项性质及其应用，对各种CdO薄膜
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