该文研究了无晶化工艺的多晶硅薄膜电池.多晶硅薄膜电池是一种以降低成本为目标的新型太阳电池,具有很好的前景,但目前普遍采用的晶化工艺十分复杂,与降低成本的要求相矛盾,该文的主旨便是在解决这一问题上作有益的探索.通过研究,研究小组成功制备出无晶化工艺的多晶硅薄膜电池,取得了一定的电池结果,并给出了诸如ITO膜结构、使用退火工艺以及适当增加SiH<,2>Cl<,2>生长气体的流量几种能有效改进电池性能的工艺方法.对于电池衬底该文选择了常用的SiO<,2>以及Si<,3>N<,4>,而以Si<,3>N<,4>为衬底的报道是罕见的.研究结果表明,Si<,3>N<,4>衬底在制备薄膜方面具有明显的优点,尤其是在薄膜晶粒均匀性与致密性方面最为突出.该文详细研究了直接RTCVD制备多晶硅薄膜的工艺以及薄膜的性质,获得了一些工艺方面的基本规律,比如生长速度的变化规律、晶粒生长规律以及掺杂规律等.对于结构致密的薄膜,该文提出了以XRD测试为基础研究薄膜晶粒结构特点的方法.在分析中发现,[110]晶向的晶粒占主要地位,它有利于形成柱状晶粒结构,对提高太阳电池性能有利.研究小组在对薄膜电学性质的研究中发现,迁移率随掺杂的增加而上升,进行解释之后指出这一点有利于基区掺杂的设计.