【摘 要】
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CdSe半导体量子点(QD)是一种纳米级的准零维材料,具有量子尺寸效应,可以通过调控量子点的大小来实现所需要的发光波长,波长范围可以从蓝光一直延伸到红光,经常在电致发光器件
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CdSe半导体量子点(QD)是一种纳米级的准零维材料,具有量子尺寸效应,可以通过调控量子点的大小来实现所需要的发光波长,波长范围可以从蓝光一直延伸到红光,经常在电致发光器件中被作为一种无机发光材料来应用。本文研究的有机／无机复合结构CdSe QDs发光器件中,使用的CdSe QDs发光峰位为580nm,对应于其带边激子峰,没有明显的缺陷峰,尺寸大小是3.8nm,发光颜色是橙色。与之前研究的ITO/ZnS/CdSe/ZnS/Ag旧结构电致发光现象相比,本次研究的有机／无机复合器件ITO/TPD/CdSe/ZnS/Ag新结构电致发光性质具有新的特点。新结构发光强度是旧结构发光强度的10倍。这一现象产生的主要机理为：电子经过ZnS层加速,通过高速撞击CdSe QDs发光层发光。与此同时,空穴从TPD层注入,和电子在发光层复合发光。实现了两种发光机制(撞击式发光、注入式发光)并存,从而大大提高了发光效率。此外,还发现通过改变新结构中ZnS的厚度,发光峰位会随着ZnS厚度的减薄发生蓝移,并且发光强度也会随着ZnS厚度的减薄而变弱。ZnS越薄,发光强度会越弱,发光峰位蓝移也越明显。
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