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DGS结构在高速差分互连线共模噪声抑制中的应用研究
【机 构】
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宁波大学
【出 处】
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宁波大学
【发表日期】
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2020年期
【基金项目】
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其他文献
功率半导体器件在电能转换中起着至关重要的作用,特别是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),它被应用在许多领域,是不可或缺的功率半导体器件之一。然而常规IGBT没有反向导通能力,在驱动感性负载时,需要将它与续流二极管(Freewheeling Diode, FWD)并联使用。当前,将FWD集成到IGBT内部是IGBT的一个研究热点,这种器件被称为RC-IGB
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