有机半导体器件近年来正在吸引人们越来越多的注意力,寻找性能优良的有机半导体材料是发展有机半导体器件的根本解决途径。有机π共轭分子(如并苯和杂环并苯类)目前取得了巨大的发展,尤其是p型共轭半导体分子,但是n型半导体分子在稳定性和电荷传输方面遇到了瓶颈,制约了有机半导体器件的发展。在并苯骨架结构引入高电负性氮元素替代其中的部分碳原子是构造n型半导体性质的一种行之有效的方法。本论文中我们主要合成了一系列新型的H型共轭小分子,该类分子以缺电子的2,3,7,8-氮杂蒽为核心,以富电子的噻吩衍生物为外缘分支。分子的单晶结构显示该类分子的氮杂蒽核近于平面,外围的烷基链对分子堆积会产生很大的影响。该类分子在可见光区均有一个吸收峰,这个吸收峰是由于分子D-A共轭结构引起的π-π电子转移引起的。它们的荧光都比较弱,连有烷基链的分子的荧光要明显强于其它分子,这可能是由于烷基链阻碍分子间相互作用和堆积。循环伏安曲线中更加显示了分子具有n型半导体性能。氮杂蒽类分子可以发生质子化反应,有调节化合物HOMO和LUMO等级的作用,进而影响分子的光点性能。