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该论文采用了RF辉光放电和VHF辉光放电两种方法,从优化B掺杂比、调整输入功率、改变CO<,2>/SiH<,4>之比三个方面,进行了p型a-SiO:H薄膜、p型μc-SiC:H薄膜、p型μc-Si:H薄膜和p型a-SiC:H薄膜的制备;对它们的光电特性进行了可靠的测试与分析.这些光电特性包括电导、光学带隙、吸收系数.论文对这四种窗口材料的光电特性进行了分析和比较,认为p型μc-SiC:H薄膜和p型μc-Si:H薄膜是优良的pin太阳电池的窗口材料.