采用电化学阳极氧化法制备的多孔硅自1990年发现其具有室温下高效率发射可见光的特性以来,已逐渐成为国际研究热点之一。多孔硅由于具有大的比表面、高电阻率、高化学活性等性能,在光电子、热电材料、传感器、微波/射频微电子学、和生物医学等许多领域获得了广泛的应用。本硕士论文的工作把重点放在多孔硅/金属纳米复合材料的制备和表征上,用简单的化学淀积方法成功的制备了多孔硅/金属复合结构,这些方法实验仪器简单、经济,能够得到均匀、深入孔洞的金属纳米颗粒,较只能得到金属层的溅射和化学汽相淀积方法更加适合实际应用。本论文取得了如下主要结果: 用电镀法在多孔硅上成功地沉积了金属铜。X射线衍射谱(XRD)证明了样品表面铜的存在,样品的断面电镜图(Cross-section SEM)进一步证明了孔内铜金属颗粒的存在,此实验制备了多孔硅/金属复合材料。与浸泡法淀积铜进行比较,发现电镀法铜颗粒较容易进入多孔硅孔中,而浸泡法几乎没有铜颗粒进入。以四探针法对复合结构的横向电阻率进行了测试,发现淀积金属后样品的电阻率有明显的降低,这大大改善了多孔硅高阻的特性,使其有更为广泛的应用空间。 用热分解方法在多孔硅上沉积了金属银,并对其用XRD、SEM进行了表征。实验中首先制备了多孔度不同的多孔硅样品,然后分别进行银的沉积,用拉曼谱线进行了分析,实验表明淀积银后样品的拉曼光谱出现了新的峰值。 用柠檬酸三钠还原氯金酸制备了纳米粒径的金胶,并将其沉积在多孔硅上,实验发现随着氯金酸和柠檬酸三钠溶液配比的不同,纳米金形状发生了变化,由球形变成了小蝌蚪形,且随在多孔硅上淀积时间的增加,金胶颗粒的分布由比较分散的颗粒变成很均匀的纳米金薄膜。