4G LTE通常是UL（Up-link,上行,即手机发射基站接收）受限制的技术,主要原因是由于DL（Down-Link,下行,即基站发射手机接收）和UL之间的Tx功率差异,即基站和手机之间的发射功率差,以及eNB（基站）部署的天线数量与UEs（手机终端）的天线数量之间的差异,还包括一些其它技术原因导致的^[1]。如3GPP（The 3rd Generation Partner Project）TR 36.824^[2]协议所示,TD-LTE Band 41覆盖范围受UL限制,链路预算分析表明,根据网络部署参数DL和UL之间的链路预算差值可达5dB。因此,增加UE侧的UL Tx功率将降低DL与UL之间的链路预算差异,从而增加TD-LTE频段Band 41的覆盖,进而节省大量的网络部署成本。从UE发射功率增加的3dB来看,TD-LTE Band 41覆盖区域增加了30%。因此,提高UL上行即手机终端的发射功率非常有必要。2016年12月份,Band 41发射功率提升3dB的标准正式通过3GPP认证。HPUE（High Power UE）技术研究全面展开。本文围绕HPUE B41的设计与实现做了详细的分析和研究,并依据高通平台设计了一款支持HPUE B41的手机终端。该手机终端创新的使用了Boost升压电路和Buck降压电路给射频功放组合供电,增加了射频功放的线性功率输出;引入了插入损耗更低的体声波滤波器BAW（Bulk Acoustic Wave）技术,降低了射频前端的损耗;并使用CST（Computer Simulation Technology）和ADS（Advanced Design System）联合仿真,快速准确的优化射频前端的阻抗匹配,保证射频功放的最大线性功率输出,同时让射频前端链路损耗做到最低。这一系列的创新应用使得HPUE B41的输出功率提升了3dB。HPUE B41的设计与实现对于手机终端其它频段设计,及其他领域的射频设计都有一定的借鉴和参考作用。