本论文采用PHEMT 器件完成Ka 波段上变频器的研究。由于采用微带电路,所以首先对微带传输线的基础做了简单的回顾,并介绍了本课题中要用到的一些微带元件。然后根据课题的需要对器件的非线性模型进行了参数提取,在参数提取时既吸收前人的研究成果,又摆脱了文献对我们的束缚,有效的利用器件资料,准确、合理的完成了工作。在进行电路分析之前,简单介绍了一些FET 上变频器的基本理论和基本的关于谐波平衡法的理论。在进行电路设计时,首先用自己建立的适合于上变频器设计的模板对器件进行负载牵引,确定器件的最佳外围阻抗。在得到器件的最佳负载阻抗和最佳源阻抗后,就可以有的放矢的进行输入、输出匹配电路设计。根据最佳阻抗的特点本文选用了双短截线匹配电路;中频采用从偏压电路直接耦合的方式,没有对其设计专门的匹配电路;由于在上变频器中微带输出滤波器的效果不好,就没有设计微带滤波器;微带到波导的过渡采用对极鳍线余弦平方过渡形式。最后对屏蔽腔进行了设计。最后对设计的上变频器的性能进行了测量,在测量时没有加输出滤波器。在Vgs=-0.5V、Vds=1.8V 的偏压条件下,本振频率是33.2 GHz、射频频率是36.2 GHz,本振功率是8.4dBm 时,有最大变频增益-8.8dB;中频输入功率大约在-5dBm 时开始进入饱和状态。