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近年来科学界发展了多种具有优异性能的复合纳米晶(主要包括合金纳米晶、核／壳结构纳米晶、掺杂纳米晶)。而当今的科研趋势是向着环境友好型,成本节约型,操作简易型的方向发展。半导体纳米晶的制备技术在逐渐成熟的过程中,也与主流趋势同步,逐渐的向着采用无毒的低成本的化合物的方向发展。本文采用不同的方法合成了高质量的核/壳结构的CdSe/CdS/ZnS纳米晶和掺杂纳米晶Mn:ZnS。CdSe/CdS/ZnS纳米晶中CdSe核的制备过程没有涉及烷基磷(如三辛基膦,TOP)之类的昂贵的高毒性的物质,而是直接采用硒粉作为硒源合成了闪锌矿结构CdSe核。CdSe核上的CdS和ZnS壳层的生长过程采用普通商用的单分子前驱物CDC(二乙基二硫代氨基甲酸镉)和ZDC(二乙基二硫代氨基甲酸锌),代替了以往作为前驱物的有毒的有机金属物质,比如双(三甲基硫化硅)和二乙基锌。在实验操作更简单的同时,制备的CdSe/CdS/ZnS半导体纳米晶具有很高的荧光量子产率(有机相中高达90%,以及通过MPA配体交换转移至水相后仍高达60%。掺杂纳米晶Mn：ZnS的制备采用了成核掺杂的方法。制备的Mn：ZnS纳米晶的荧光量子产率达到了54%。实验结果表明制备尺寸尽可能小的MnS核是实验成功的关键因素。通过采用配位能力相对较弱的十二硫醇作配体、合适的反应温度以及合适的Mn：S比例可以控制MnS核的尺寸,从而实现增强锰的发射峰强度的目的。并且通过研究光谱特性的变化推断了CdSe/CdS/ZnS纳米晶和掺杂纳米晶Mn：ZnS形成的机理,以及通过TEM、XRD等测试方法对产物的结构进行了表征。