横向非均匀纳米硅(nc-Si)薄膜和氧化亚铜薄膜的制备及其特性研究

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本论文分为两个部分。第一部分研究了横向非均匀热伏纳米硅薄膜;第二部分研究了氧化亚铜(Cu2O)光伏薄膜。采用磁控溅射技术在石英衬底上沉积一层200nm厚的非晶硅(a-Si)薄膜,并用真空热蒸发在其上沉积两个横向接触的厚度不同(分别为50nm和100 nm)的Al膜。将已沉积好的薄膜在N2气氛中600℃下退火45min,得到两个横向接触的具有不同晶化程度的纳米晶硅(nc-Si)薄膜。利用X射线衍射(XRD)、拉曼Raman、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)研究了所制备样品的
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