有机场效应晶体管(OFETs)是近年来引起学术界广泛关注。与无机场效应晶体管相比,有机场效应晶体管有着一系列的优点:集成度提高、操作功率减小、运算速度加快、能够进行低温加工、易于大面积生产等。目前,有机场效应晶体管的性能已经取得很大的提高,但对于其理论和材料结构方面依然有很多问题需要进一步探讨。本文主要从无机/有机界面的电学特性出发,研究了有机场效应晶体管的界面传输和电极材料选择问题,主要包括:1、研究了电极分别为Au、Cu Ox、Au-Cu Ox的三种有机场效应晶体管,并计算他们的迁移率,实验数据表明Au-Cu Ox电极接触型器件性能最好。当电极为Cu Ox时能有效地降低载流子的注入势垒,诱导空穴注入并五苯中,有利于空穴的传输。而在Cu Ox封装一层Au的Au-Cu Ox电极,其迁移率进一步提高,接触电阻也进一步减小。2、用开尔文探针力显微镜扫描了结构分别为Au/Cu Pc/Si O2/n++Si和Au/Cu Pc/ATO/n++Si的两种器件,并对它们进行分析。实验结果表明Au/Cu Pc/ATO/n++Si型器件性能优于Au/Cu Pc/Si O2/n++Si型器件。其原因在于high-k ATO薄膜引起Cu Pc薄膜带隙缺陷态密度大幅度下降至7×1017cm-3,同时提高了Cu Pc的结晶度。