静电感应器件(Static Induction Device——SID)是一类新型的电力电子器件,主要包括静电感应晶体管(Static Induction Transistor——SIT)、双极型静电感应晶体管(Bipolar-Mode Static Induction Transistor——BSIT)和静电感应晶闸管(Static Induction Thyristor——SITH),具有其它半导体器件无法比拟的一系列优点,如控制功率大、工作频率高、电流容量大、耐高压、功耗小、噪声低、抗辐射能力强、开通关断全可控等,在很多领域得到了广泛的应用。本论文系统地阐述了SIT、SITH的作用理论,着重介绍了SID的结构、Ⅰ-Ⅴ特性、电流传输机制及沟道势垒的形成。在此理论基础上,结合器件制造的特点,对器件的相关参数进行了讨论分析,并给出了具体的定值,利用L-edit版图设计软件设计了新的版图。实验以制备电性能优良的SID为出发点。结合SITH制作的经验和存在的问题,在外延工艺中解决了外延反型的工艺难点,在挖槽工艺中使用三步刻槽法,得到稳定的外延工艺和挖槽工艺条件,通过大量的实验,对部分工艺条件进行了调整;通过工艺参数的调节,得到了具有典型混合Ⅰ-Ⅴ特性的复合SIT的工艺条件。通过对试制管芯的测试,基本电性能有了明显的改善,说明了制作方案是合理的、可行的。