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摘要：现代信息技术的发展要求存储器具备超高存储密度、超快的响应速率以及长使用寿命等特点,有机半导体存储器成为了一种非常有潜力的新型存储器件。有机电双稳态器件(organic electrial bostability devices, OEBDs)是指在相同电压作用下存在两种不同导电态的器件,具有成本低、加工简易、体积小、响应快速、功耗低和存储密度高等优点。有机双稳态器件很有潜力在数字信息存储以及电路开关之中得到广泛的应用,正受到人们越来越多的关注。本文中,我们成功地制备了PMMA和C60混合物薄膜,研究了基底以及溶剂对混合物成膜性能的影响。以此薄膜作为功能层组装成ITO/PMMA:C60/Al结构的电双稳态器件,测试结果表明器件具有良好的电双稳态特性和读写擦出循环特性。虽然此项技术的研究仍处于探索阶段,但对于发展有机存储技术仍具有参考价值。实验的具体内容：配置PMMA和C60的混合溶液,通过旋涂法以玻璃、ITO和石英玻璃为基底涂膜。使用原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行表征,研究了不同溶剂、不同比例和不同基底对混合物薄膜的表面形貌的影响。实验发现发现使用三氯甲烷和氯苯作为溶剂,以石英玻璃为基底的薄膜表面形貌最为平整致密。薄膜的表面粗糙度随着会随着氯苯和三氯甲烷比例的增高而变大。以PMMA和C60的混合物薄膜为功能层,制备有机存储器件,结构为ITO/PMMA:C60/Al。采用伏安法对器件的电双稳态性能进行测试,发现器件具有典型的电双稳态特性：当外加电压达到一定的阈值,电流会有一个突变,器件由低导态跃迁为高导态,两种状态分别对应信息存储中的“0”和“1”,器件的读写擦除循环可进行多次,器件的阈值电压在6V左右。研究发现,器件的阈值电压随着功能层的表面粗糙度的增大而变高。最后,分析了有机层中的电荷陷阱对器件电双稳特性的影响。