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目前,发达国家都采用双频信号来实现雷达的控制,要求天线的频带范围宽。材料的频带范围与介电常数成反比,因此要用低介电常数材料来制备天线。目前,广泛采用的低介电常数材料的制备方法有两种:一种是采用分子结构对称性好的材料作为原料;另一种是在材料制备过程中引入孔洞来降低介电常数。本课题通过在低介电常数本体材料中引入孔洞的方法来降低材料介电常数,采用两种孔洞引入方法:一种是加入易挥发性物质(石墨)作为成孔剂,在烧结过程中,石墨氧化后留下孔洞;另一种是通过加入氧化硅空心球的方法来引入孔洞。氧化硅空心球是一种中空球形材料,由实验室自行制备。对氧化硅空心球研究表明:制备的氧化硅空心球直径在十至五十微米之间,壁厚三至五微米之间,晶体形态为无定形态。对用两种孔洞引入方法制备出的陶瓷进行密度测试、抗折强度测试、介电性能测试、扫描电镜测试,研究了成孔剂用量、烧结助剂用量对材料性能的影响;对烧结助剂及样块进行XRD测试、DTA测试、密度测试、抗折强度测试、介电性能测试,研究了烧结温度对材料性能的影响。对以烧结助剂为原料烧结的样品材料的研究表明:样品的密度介于1.72g/cm~3～2.28g/cm~3,介电常数最低达到4.54,Q值最高为478,抗折强度可达到19.88MPa。对多孔陶瓷样品的研究结果表明:对于采用石墨作为孔洞引入剂的方法制备的多孔陶瓷,当石墨挥发后,在陶瓷体内留下明显孔洞,采用这种方法制备的陶瓷材料的介电常数最低可以达到3.12,Q值最高可达到1149,抗折强度最大可达到14.44MPa,密度介于1.08g/cm~3～1.43g/cm~3之间。对于采用氧化硅空心球作为孔洞引入剂的方法制备的多孔陶瓷,经扫描电镜观察,氧化硅空心球在960℃烧结条件下没有发生坍塌,材料的介电常数最低为4.07,Q值可达到504,密度介于1.45g/cm~3～1.8g/cm~3之间,材料的抗折强度为22.54MPa。