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二氧化钒（VO2）薄膜在太赫兹波段具有良好的热致半导体-金属相变（MIT）性能,在光学调制、开关、存储材料等领域有巨大的应用前景。较低的温度下,VO2薄膜呈绝缘相,对THz波基本无吸收和色散作用,太赫兹透过率较高。但是随着温度升高超过相变温度后,VO2薄膜呈金属相,薄膜的太赫兹透过率急剧的减小。我们可以通过热、光、电等外部激励信号控制氧化钒薄膜的相变,使太赫兹波处于透过和不透过的两种不同状态,实现对太赫兹波的调制。VO2薄膜在THz波段的相变特性,为研究和制备超高速、高调制深度并能在室温附近工作的THz调制器件,填补THz波段缺乏调控材料和器件的缺陷,促进THz波段器件的实际应用具有重要的科学意义和应用价值。为了实现氧化钒薄膜在太赫兹调制器件上的应用,要求氧化钒薄膜具有好的稳定性和可靠性、高的响应率和效率,VO2应满足四个方面的性能要求:（1）半导体态具有较高的太赫兹透过率;（2）较大的太赫兹调制深度;（3）较小的回线宽度;（4）较低的相变温度。本论文主要围绕制备良好太赫兹调制性能的氧化钒薄膜展开,立足现阶段缺乏高调制幅度的氧化钒薄膜为基点,开展了以下两部分工作:（1）在高阻Si（100）衬底上,利用直流反应磁控溅射法制备相变氧化钒薄膜,探究工艺参数（反应氧流量和溅射电流）对氧化钒MIT性能的影响。在探究工艺参数的实验中,发现靶表面状态的不同也影响着氧化钒的性能,尤其是太赫兹波段的调制深度。进而探究靶表面状态对氧化钒薄膜太赫兹调制深度的影响,在平整靶表面状态下制备了在4.86THz波段室温太赫兹透过率约为87%,高温太赫兹透过率约为6%,平均调制深度为93%的氧化钒薄膜。（2）在平整靶表面状态下制备的氧化钒薄膜,虽然在4.86THz波段具有高调制深度,但是该薄膜回线宽度较宽（12.4℃）,相变温度较高（67.5℃）,不能完全满足氧化钒薄膜应用到太赫兹器件的四个性能要求,所以采用贴片法掺杂（Mo和W）来降低薄膜的回线宽度和相变温度。在保持优良太赫兹调制深度（4.86THz,83%）的同时,通过掺W（1.5at.%）制备出回线宽度较小（7.7℃）,相变温度低（49.1℃）的氧化钒薄膜。