目前关于三元硫族化合物Ag Bi S2的研究报道仍然不多,但是在其基础理论计算研究、实验室合成制备以及各方面的应用上或多或少都能找到关于这种材料的研究,说明Ag Bi S2这种半导体材料正在逐渐被人们关注。本文以磁控溅射法制备薄膜并探究了硫化退火过程对薄膜的影响;以回流法和溶剂热法分别制备了Ag Bi S2粉末,并与Zn S进行复合,探索未经复合的Ag Bi S2原始样品和Ag Bi S2与Zn S复合样品对亚甲基蓝溶液的光催化降解效率。采用磁控溅射法以及硫化退火工艺制备Ag Bi S2薄膜,本文主要探索了硫化退火工艺中退火温度和退火时间对薄膜结构和性能的影响。实验结果表明退火温度的选择对薄膜的影响较大,其中当退火温度为475℃时,所得样品为立方相的Ag Bi S2薄膜,温度低于475℃时,样品中含有Ag2S杂相,温度高于475℃时,样品开始出现Bi2S3杂相。退火温度为475℃,探索了退火时间对薄膜的影响,结果表明退火时间从15 min开始延长后,薄膜晶粒逐渐长大,粗糙度也随之增大,当达到30 min时,晶粒长大达到最大值1200 nm,而粗糙度突然降至最小值,因此以475℃、30 min为最终退火参数。对薄膜进行紫外-可见-近红外光吸收测试,表明薄膜具有较宽的光吸收范围高达1400 nm的吸收极限,其带隙为0.853 e V。化学法制备Ag Bi S2粉末过程中,以回流法为主要研究方向,探索了反应温度和原料比例对粉末的影响。结果表明反应温度为225℃、原料比例为1.05:1:2.1时Ag Bi S2粉末中杂质Bi的含量最低,Ag Bi S2纳米粒子平均直径为200 nm。热重分析表明Ag Bi S2粉末在空气气氛中具有热稳定性。溶剂热法制备的Ag Bi S2粉末其形貌主要为长度超过5μm、直径约为200 nm的纳米棒和直径约为300 nm左右的纳米粒子。以化学法制备的两种粉末为原料复合Zn S后,在模拟太阳光照射下光催化降解亚甲基蓝溶液。结果表明复合后的样品降解效率比原始样品提高了40%左右,以回流法制备的Ag Bi S2粉末复合的样品降解效率高达95%,在4次重复光照实验中表现出稳定的降解效果。经透射电子图像表明成功制备出异质结结构。