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功率半导体器件是电力电子技术的基础,是构成电力电子装置的核心器件。碳化硅(SiC)材料作为一种宽禁带半导体材料,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率等优点,因此碳化硅功率半导体器件可以实现高压、大功率、高频、高温应用,可以提高电力电子装置的效率、降低装置体积和重量,比传统硅基器件更具优越性。商业化的碳化硅器件有碳化硅二极管、碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、碳化硅结型场效应管(JFET)。碳化硅二极管已经被应用于可再生能源领域和铁路领域等,SiCMOSFET也已经被用于可再生能源领域。和传统的SiIGBT相比,SiCMOSFET既有传统SiMOSFET的优点:高速的开关性能,又具有耐压高、导通电阻低和工作温度高等优势,有望取代Si IGBT。但是由于SiCMOSFET栅氧工艺的局限,其可靠性存在问题。如果要实现SiCMOSFET的广泛应用,可靠性的问题是必须要解决的。短路可靠性是器件可靠性的一种,是指MOSFET在沟道开通的情况下承受大电压、大电流的能力。通过文献的调研,发现有学者在做SiCMOSFET的短路可靠性的研究,但是没有学者对于SiCMOSFET和SiIGBT的短路可靠性做详细的对比分析。本文对1200V SiC MOSFET和1200V Si IGBT的短路可靠性进行了测试和系统的对比分析。设计了短路测试电路板,搭建了短路测试平台,对SiCMOSFET进行不同实验条件的测试,总结出了两种失效模式,定义了短路性能的指标。对SiIGBT做短路测试,并对比SiC MOSFET和SiIGBT的短路能力。对两种器件建立了一维的热仿真的模型,进行有限元热仿真,求出器件在短路过程中的内部温度分布及其随时间的变化。从温度分布变化的角度来分析两种器件的短路性能差异的原因,提出针对器件可靠性设计的建议。