在等离子体辅助化学气相沉积金刚石的设备中,进行了金刚石膜的沉积实验.实验室灯丝采用的是钨丝,可以根据不同的实验要求来选择不同直径的灯丝进行沉积实验.灯丝与基台间的距离10mm;实验是使用的基片为单晶硅(111),基片的处理方法对金刚石的形核有很大影响.细砂纸将硅片打磨5分钟,金刚石研磨膏研磨15分钟,用去离子水冲洗,超声波清洗,取出后吹风机烘干的基片预处理方法,可以有效提高金刚石的形核密度;基体温度不仅影响金刚石的生长速率,也影响金刚石的择优取相.基台温度分别为720 ℃和860℃的扫描电镜相片,我们可以明显的看出金刚石的两种晶面(100)和(111),沉积温度为900℃沉积速率相对较大;等离子体辅助偏压对形核和生长有巨大的促进作用;在金刚石的沉积实验中,如果金刚石的沉积速率大于被刻蚀的速率,则随着时间的延长沉积膜层的厚度越大.随着时间的延长沉积速率有变慢的趋势;在实验条件为:甲烷流量为8sccm、氢气流量为200sccm、基片温度为900℃、偏压为400V、真空室压力为40kPa时,获得的沉积速率最大为2.075μm/h.经过实验证实实际沉积膜的厚度与计算值误差不大,因此计算法算得的数值相对准确可以相信.运用SEM和AFM分析了金刚石膜的表面形貌;运用XRD分析得膜层中含有金刚石的(111)和(220)峰.将等离子体辅助化学气相沉积金刚石膜的设备进行改进,添加引入钛源的装置,然后在改进设备中进行金刚石/碳化钛复合膜的沉积实验.实验所用的钛源为钛酸异丙酯.反应中各种气体的配比将直接影响沉积膜层中各组分的含量和金刚石的表面形貌.等离子体辅助偏压的引入可以利用等离子体效应有效的降低反应温度.运用EDX分析膜层发现含有Ti元素峰;运用SEM观察表面,发现晶面有锥形(111)和正方形的(100)取向.运用XRD分析得到了TiC的峰.在改进设备中还初步进行了掺硼金刚石膜的沉积实验,实验用到的硼源是硼酸三甲酯.在金刚石的沉积条件下通过硼源的挥发通入少量的硼,沉积制得掺硼金刚石膜.通过对沉积的膜层进行SEM和EDX分析可得:运用等离子体化学气相沉积的方法可以制备出掺硼金刚石膜.