氧化铟基气敏材料的催化性能及敏感机理研究

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气体传感器是对气体中所含的特定成分的物理、化学性质做出迅速感应,并将其转化为适当的电信号或光信号,从而对气体种类及浓度做出检测的装置。半导体气体传感器具有灵敏度高、成本低、工艺成熟等优点,使其得到了广泛的应用。In_2O_3作为一种较为新型的气敏材料,有望改善传统气敏材料的选择性、稳定性,降低元件的工作温度;同时,目前对材料敏感机理的研究工作还落后于实际应用,难于从理论上指导气敏材料的开发与设计,对In_2O_3基敏感机理的研究鲜有报道。针对上述问题,本文首次从In_2O_3对目标气体的催化性能和气
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