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本文将微纳光学技术引入高压科学研究领域,针对高压科学研究的技术特点,搭建了高压原位暗场光谱表征设备,尝试在压力条件下对钙钛矿单根微纳结构的光泵浦光致发光谱的表征,利用该设备实现了钙钛矿半导体单根微纳结构的光致发光表征,探索了压力对半导体微纳结构自发辐射与受激辐射的调控效应。本论文取得了如下三部分成果:(1)采用表面液相生长方法,在室温合成了甲氨基碘化铅(CH3NH3Pb I3)等微纳结构。发现甲基碘化铵(CH3NH3I)浓度对CH3NH3Pb I3微纳结构的形貌具有重要的调控作用,在CH3NH3I近饱和度条件下可以实现CH3NH3Pb I3微纳结构的几何形状的优化,制备出了形状规则、表面光滑且单分散性良好的钙钛矿微纳结构。(2)结合微纳光学实验技术和高压实验技术,实现了在金刚石对顶砧(DAC)砧面上微纳结构的微操作和光谱表征。1)利用亚微米量级精度的微操作台和通过电化学腐蚀制备的钨针尖,将单根样品从薄膜样品中分离并转移到DAC样品腔内;2)采用正置-倒置双显微镜的光学设计实现了对基于Boelher型压砧的单个微纳结构的光谱表征,实现了在压力条件下暗场光学观察,提高了观察DAC内微纳样品的光学对比度,该技术使开展高压下微纳光学的表征更易实施。(3)利用搭建的高压原位微区光谱系统对单根半导体微纳结构的光致发光进行了测量,初步研究了半导体微纳结构自发辐射随压力变化的规律,实现了对单个微纳钙钛矿结构在高压下光谱性质的表征,有助于进一步理解压力对激子行为与激射现象,为在高压科学研究领域开展微纳光学的研究提供了可行的技术路线,做了有益的尝试性探索。综上所述,我们将微纳操作、微纳光学表征技术和金刚石对顶砧高压实验技术结合在一起,搭建了适用于单半导体微纳结构的高压原位光谱表征设备,为在微纳光学和高压科学的交叉研究领域提供了技术方案,为利用压力调控半导体微纳结构光激射奠定了技术基础。