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2005年，Rogado等人发现La2NiMnO6陶瓷具有较大的磁介电效应，产生该效应的温度对应于高温铁磁转变温度(～280K)，且在室温具有半导体属性，可认为是铁磁半导体材料。从而，可作为一种潜在的、可应用于下一代自旋电子器件的关键材料，此外还可应用于如磁场传感器、固态热电冷却器等方面。
到目前为止，La2NiMnO6的微结构及物理性能已进行了广泛的研究，但还是存在一些未解决的问题，如铁磁起源还没得到统一认识、磁介电产生的机理尚未清楚。本文通过化学溶液沉积法(Chemical Solution Deposition，CSD)制备La2NiMnO6薄膜，并通过制备工艺优化，从而对微结构及性能进行调控，具体结果如下：
1.采用CSD法在单晶LaAlO3衬底上制备了具有择优取向的La2NiMnO6薄膜，研究了烧结温度对其微结构和输运性能的影响。实验结果表明，烧结温度显著影响了晶体结构及表面形貌，但对热激活能改变并不显著；
2.采用CSD法在单晶SrTiO3:0.7wt％Nb衬底上制备具有择优取向的La2NiMnO6薄膜，并对其微结构和相关性能进行了研究。结果表明，所制的薄膜为有序、无序混存，存在两个铁磁转变温度分别为110K和290K，在高温铁磁转变附近观察到正负磁介电效应的渡越行为；
3.CSD法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备多晶La2NiMnO6薄膜，并对微结构及性能进行了研究。结果表明，采用CSD法可有效调控薄膜的有序度；比较了有序薄膜和无序薄膜的磁介电性能异同，观察到明显不同的磁介电现象。