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在光学体全息存储中,人们最常用的材料是掺铁铌酸锂晶体(Fe:LiNbO<,3>),但这种晶体的响应速度慢、抗光散射能力差.对这两种性能的改善对铌酸锂晶体在实际中的应用非常重要.改变掺杂离子及其离子浓度是改善Fe:LiNbO<,3>晶体光折变性能的有效途径.另外,氧化还原处理也可以通过改变掺杂离子的价态来改善晶体性能.该文在实验方面对掺杂铌酸锂晶体进行了光折变性能测试,得到以下结论:①在Fe:LiNbO<,3>晶体中再掺入Zn、Mg、In离子时,晶体的抗光散射能力比Fe:LiNbO<,3>晶体提高了1-2个数量级;②以Zn:Fe:LiNbO<,3>晶体为例,研究掺杂浓度对光折变性能的影响,发现随着掺Zn浓度的增加,晶体的衍射效率下降,响应时间缩短;③氧化还原处理影响晶体的衍射效率和响应时间.在相同掺杂、相同浓度LiNbO<,3>晶体中,生长态晶体具有较高的衍射效率,还原态晶体具有较短的响应时间.此外,生长态晶体的抗光散射能力比还原态晶体的抗光散射能力高1个数量级.通过对掺杂LiNbO<,3>晶体紫外-可见光谱的系统测试,得到其透射曲线,计算了与波长有关的光学吸收系数α和α<1/2>,也得到了相应的α-hv和α<1/2>-hv曲线,并对吸收边的性质进行了分析,讨论了杂质对LiNbO<,3>晶体光学吸收边的影响.计算了间接跃迁能隙E<,g>和参与间接跃迁的声子能量E<,p>.此外,我们还对掺杂铌酸锂晶体进行了红外光谱测试.在掺杂量低于阈值浓度时,晶体的OH<->吸收峰与M<,Li>-OH<,Li>缺陷基团的伸缩振动有关,对应掺锌、掺镁、掺铟和掺铈离子的吸收峰均出现在3483cm<-1>附近.当掺杂量超过其阈值浓度时,掺锌、掺镁和掺铟离子的OH<->吸收峰分别为3525cm<-1>、3533cm<-1>和3508cm<-1>,分别对应于(Zn<,Nb>)<3->-(OH<,Li>)-、(Mg<,Nb>)<3->-(OH<,Li>)<->和(In<,Nb>)<2->-(OH<,Li>)<->缺陷基团的伸缩振动.