武器装备透明器件上制备透明导电薄膜以达到电磁屏蔽、防止信息泄漏的目的,同时要求具有较高的机械强度以满足作战环境的需要。本文根据电磁屏蔽性能实际测量方法,建立有限元模型,分析影响电磁屏蔽性能的主要因素,提出透明导电膜的使用范围,为设计、制备电磁屏蔽薄膜提供理论依据,具有一定创新性;研究ITO薄膜导电机理:晶化温度150℃以下薄膜载流子主要来源是氧空位,随氧分压增加氧空位减少,光学带隙变窄,在室温条件下氧分压由零增加到1%时,电阻率由10^-3Ω·cm增加到4.4×10^-2Ω·cm;温度升到晶化温度以上,薄膜的结晶程度提高,Sn掺杂效率提高,载流子主要来源是Sn替位掺杂,载流子浓度随温度升高而增加,光学带隙变宽;300℃,氧分压1%条件下,薄膜结晶完整,组成接近化学配比,可见光透过率高,薄膜主要以Sn替位掺杂提供载流子,电阻率随温度的升高而降至最小值2.4×10^-4Ω·cm,薄膜电磁屏蔽性能及光电性能最为理想,但薄膜中仍存在氧空位,高温处理过程薄膜电阻率增加,电磁屏蔽性能下降。根据ITO和SnO₂:F薄膜的光电特性,研究了高性能电磁屏蔽玻璃制备工艺,当要求电磁波反射率大于85%时应采用ITO薄膜,但需先行刚化增强处理再镀制ITO薄膜;对于要求电磁波反射率大于80%时则可采用SnO₂:F薄膜,在镀膜后再行刚化增强处理,适合规模化生产,且成本低。本研究结果为高透过、高强度电磁屏蔽玻璃的制备和应用打下了良好基础。