【摘 要】
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磁控管EMI(Electromagnetic Interference)性能特别是高端(1GHz-18GHz)EMI性能是磁控管基本性能中最重要的性能之一。随着国际EMC(electromagnetic compatibility)标准的不断
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磁控管EMI(Electromagnetic Interference)性能特别是高端(1GHz-18GHz)EMI性能是磁控管基本性能中最重要的性能之一。随着国际EMC(electromagnetic compatibility)标准的不断加严,各磁控管生产厂家都在研究提升磁控管EMI性能的解决方案,其中采用扼流结构来抑制磁控管的高次谐波发射是较为普遍的解决方案,它可以极大的提高磁控管高端EMI性能。本论文正是针对上述问题,以现有磁控管的高端EMI性能为基础,在深入分析磁控管高端EMI的产生机理和扼流结构抑制高次谐波发射的基本原理的基础上,用仿真软件计算并通过大量的实验验证来优化出磁控管的扼流结构。对现有工艺和组装夹具进行了设计更改,使扼流结构能在现有产品上实现,提升现有产品的高端EMI性能。主要内容为:1.详细研究了现有产品的高端EMI性能和磁控管高端EMI的产生机理。2.详细研究了扼流结构抑制磁控管高次谐波发射的基本原理,用仿真计算和实验验证来分析扼流结构的滤波特性。3.研究了磁控管增加扼流结构对其它产品性能产生的影响并对其进行修正。4.研究了磁控管增加扼流结构如何在现有产品生产中大批量实现。
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