在过去的几十年，人们开展了大量硅基发光材料和器件的研究工作。近年来，在硅衬底上制作OLEDs(Organic light emitting diodes，有机发光二极管)，为硅基光电集成开辟了一条新道路。而且，硅基OLED可利用成熟的CMOS技术，可在单个芯片上集成密度高且复杂的电路，从而提供了单芯片显示系统(SOC，System On Chip)的解决方案。 本论文利用重掺杂n—Si、p-Si单晶片分别作为顶发射有机发光二极管的阴极、阳极，成功制备了高效率、高对比度的硅基顶发射有机发光二极管。基于n-Si阴极的荧光顶发射器件(n-Si／CS2CO3 2 nm／Alq 40 nm／NPB 40 nm／MoO3 2nm／ng 20 nm／Alq 40 nm)在6 V下启亮，最高效率达1.5 cd/A及0.46 lm／w。基于p-Si阳极的荧光顶发射器件p—Si／NPB 40 nm／Alq 40 nm／CS2CO3 2 nm／Ag 20nm／Alq 40 nm)在5.5 V下启亮，最高效率达1.2 cd／A及0.4 lm／w。基于p-Si 阳极的磷光顶发射器件(p-Si／NPB 40nm／CBP：Ir(ppy)3(4％，20 nm)／TPBi 10 nm／Alq30 nm／Cs2CO3 2 nm／Ag 20 nm／nlq 40 nm)在3.5 V下启亮，最高效率达12 cd／A及4.5lm/w。 本论文制备的硅基顶发射器件的性能较优，但器件性能尚有待进一步提高以满足实际应用的要求。