现代移动通信的飞速发展,对信息传输的高质,高量推动了射频LDMOS向更高的频率和更宽的带宽应用,同时也给设计技术带来了严峻的挑战。由于国内射频LDMOS研发能力与国外存在不小差距,开展LDMOS的研究和设计对国防和国民经济有重要意义。本论文主要针对S波段射频LDMOS器件进行设计和建模。LDMOS器件结构采用了单层Shield源极场板;源极有源区采用减小器件面积的Trench sinker结构。基于该结构进行了仿真设计与部分结构参数的优化。并用Cadence绘制了器件版图,在上海华虹宏力半导体公司进行流片实验。对栅长0.4μm,栅宽140μm的器件得到饱和电流210mA/mm,击穿电压65V,阈值电压1.5V,截止频率9GHz。对栅宽1mm的器件,获得3dB增益压缩功率30.1dBm,最大增益20.1dB以及最大效率53.1%,功率密度达到1W/mm。最后基于测试数据,采用Angelov非线性模型对栅长0.4μm,栅宽140μm的LDMOS器件进行了模型分析。其中在直流IV模型拟合时,将拟合因子P1与漏压Vds关联,得到了较好的拟合结果。在非线性电容模型分析中,测试的漏源电容Cds发现其受偏压影响较大,因此,同时对Cds、Cgs和Cgd进行了模型拟合。最后将建立的模型嵌入到ADS中,得到了小栅宽器件的大信号模型。本论文通过器件设计仿真,测试获得了性能较好的RF LDMOS器件。并建立了双栅指小栅宽器件的大信号模型,为以后对大栅宽大功率RF LDMOS器件的建模奠定了良好的基础。