CuInS₂量子点与传统的半导体量子点相比,因其低成本、无毒性、对环境友好、吸光系数高等优点而引起了广泛关注。不过,纯的CuInS₂量子点（CIS QDs）由于其表面上有较多的悬键而表现出较差的光致发光（PL）性能,因此需要在纯的CIS量子点表面包覆一层起到保护作用的壳层,从而形成核壳结构的CIS量子点。然而,传统的壳层由于有着比CIS量子点更大的光学带隙,而导致核壳结构CIS量子点的PL发光峰蓝移至700 nm以下,并且使得量子点的光吸收范围也更窄。在此,我们通过一种简单的阳离子交换方法,合成了Zn、Al双掺杂的CIS量子点,并对此进行了研究,主要研究成果如下:（1）用一锅煮法合成的双掺杂CIS量子点与纯CIS量子点相比,其位于约740 nm处的光致发光性能有了显著改善。PL性能的增强可能归功于双掺杂的CIS量子点中的Zn_Cu缺陷和Al_Cu缺陷,这些缺陷可以通过缺陷能级引起电子-空穴辐射复合,减少悬键的数量,并因此最小化量子点表面通过表面电子俘获而引起的非辐射复合的程度。CIS量子点的PL发光峰强度可由掺杂反应时间控制,掺杂反应时间在30 min以内时,量子点样品的PL强度会随着掺杂反应时间的增加而增强。（2）实验所获得的在深红区域发光的Zn、Al双掺杂CIS量子点还被进一步应用于制造半透明的荧光型太阳能聚光器（LSC）中,制造获得的薄膜型LSC表现出了优秀的光电性能,其光学效率达到了6.97%,光电转换效率达到了3.18%。这种Zn、Al双掺杂的CIS量子点的成功应用可以为实现制造用于构建集成光伏器件的高效率和环境友好型的LSC奠定基础。（3）热注入法合成的纯CIS量子点在反应温度升高时,PL发光峰红移（180²30℃的反应温度范围内）。且热注入法合成的纯CIS量子点在进行双掺杂后,掺杂反应时间在1 h² h以内时,随着掺杂反应时间的增加,CIS量子点的PL发光峰强度和抗荧光衰减性均增强。所得的掺杂CIS量子点的荧光性能与纯CIS量子点相比有明显增强,因此,将本工作合成得到的Zn、Al双掺杂CIS量子点与LSC结合到一起,有望获得更好的性能。