随着集成电路尺寸的不断减小和半导体制造工艺的迅速发展,为了保证整个系统的优良性能,具有高精度和高电源抑制比的基准电压源几乎成了所有模拟和混合电路系统中不可缺少的基本模块。本文根据国内外基准源的研究现状和发展趋势,在介绍了基准源工作原理的基础上,详细分析了其温度特性和电源抑制比频率特性,最终设计了一款采用新的高阶补偿方法及电源抑制比提高结构的高电源抑制比和高精度的基准电压源。本文提出的新的高阶温度补偿技术将原来只有一个极值的基准电压温度特性曲线变成了具有三个极值的温度特性曲线,这种方法能有效的减小温度系数。通过对电源抑制比频率特性的分析,提出了两种提高电源抑制比的方法:一方面可以提高运放的增益;另一方面可以使运放的电源抑制比等于1。结合提出的高阶补偿方法和对电源抑制比频率特性的分析,设计了一种高电源抑制比和高精度的基准电压源。对所设计的基准电压源电路在3.3V电源电压下,采用0.35μm工艺进行仿真,仿真结果表明在-40~135℃的温度范围内,输出电压只变化了0.132mV,温度系数为0.6ppm/℃,且输出电压对工艺角不敏感;经过优化设计后,仿真结果显示,在频率为1KHz时电源抑制比是-112dB,同时在1GHz的频率范围内,最低的电源抑制比为-70dB,相对于其他基准源的电源抑制比有了显著提高,特别是高频时电源抑制比得到了很大改善。