光电子器件的发展日新月异,光电探测器作为光电子器件中重要组成部分,在军事、民事等领域有着重要的应用。近年来半导体工艺的进步,人们通常将半导体材料刻蚀成纳米柱、纳米线、纳米锥等,目的是为了提高半导体材料的光吸收以及器件的光电转化效率,这种方法常用在太阳能电池和光电探测器的研究中。在本工作中,我们研究了一种基于PdSe₂/锗纳米锥阵列异质结的敏感的红外光电探测器,并测得优异的光电性能。本文通过金属辅助化学刻蚀法制备了锗纳米锥阵列,并通过直接硒化的方法制备了PdSe₂的薄膜。用NaOH溶液将PdSe₂薄膜完整的转移到锗纳米锥阵列上,再通过蒸镀绝缘层和沉积电极等工艺,最终得到了PdSe₂/锗纳米锥阵列异质结的红外光电探测器。由于很强的陷光效应,PdSe₂/锗纳米锥阵列异质结器件在红外光照射下表现出明显的光伏特性,使器件能够在没有外部电源的情况下检测红外辐射。进一步的器件分析表明,该器件对1350nm、1550nm、1650 nm、2200nm的光源也有明显的响应,具有较好的灵敏度。特别是在1550nm波长的光照下,响应是最强的,响应度是530.2mAW^-1、开关比是7×10³以及比探测率1.45x10¹¹Jones,相比其它具有相似结构的过渡金属硫化物的器件,基于PdSe₂的异质结光电探测器具有明显的优势。根据时域有限差分法（FDTD）的理论模拟,优异的器件性能与锗纳米锥阵列的强陷光效应紧密相关。此外,该器件还具有较快的响应速度,其上升时间和下降时间分别为21.2μs和40.2μs。研究还发现,该探测器具有图像传感的能力。以上结果表明,PdSe₂/锗纳米锥阵列异质结红外探测器在光学、电子以及光电子领域显示出广阔的应用前景。