随着第一个晶体管的诞生，微电子技术发展尤为迅速，目前已进入了甚大规模集成电路时代。半导体存储器作为微电子产品的典型代表已越来越多的使用到各种不同的电子消费品中，近年来，凭借着速度快和功耗低的优点，静态存储器（SRAM）的发展势头十分强劲，成为了半导体存储器中不可或缺的一部分。本论文首先介绍了存储器的分类和国内外的发展现状，从摩尔定律到基辛格规则。其次，着重分析了SRAM的基本结构，从基本框架到各个模块，通过不同结构的存储单元工作原理，介绍了其各自的设计方法及优缺点，本论文以6管存储单元为例，介绍了电路读写的时序，分析了几种容限。接着，本文通过对几种不同类型灵敏放大器原理的对比及分析，总结优缺点，特别是本设计用到的锁存型灵敏放大器，分析了电路失配的原因以及减小失配的方法，在深亚微米工艺下，失配电压服从高斯分布，降低灵敏放大器失配电压的平均值幅度空间已经很小，良率主要取决于失配电压标准差的值。通过对存储单元以及灵敏放大器的设计和仿真，得出满足良率下的灵敏放大器的失配电压值。最后对整个SRAM进行仿真，优化。