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氧化钒是一种相变材料，它具有独特的低温半导体-高温金属态的相变特性。在从低温半导体到高温金属态的过程中，其晶体结构从低温的单斜结构变成高温的四角结构，同时光学性能也发生了相应的变化。低温时，氧化钒对红外光谱有较高的透过率，而高温时则对红外光谱有很高的反射率，并且这一转变是可逆的。基于这种独特光学性能，其逐渐成为智能窗玻璃、光电开关、光存储等领域极具发展潜力的功能材料，日益成为氧化钒薄膜的研究热点课题。本论文研究了不同的工艺条件下制备的氧化钒薄膜的特性，并用AFM、XRD、FTIR等测试方法对薄膜的相关特性进行了表征。主要研究内容分为两大方面：一、研究不同氧分压条件下氧化钒薄膜特性的变化。研究发现随着氧分压的逐渐升高，生成的VOx薄膜表面粗糙度越小，薄膜表面越平整；随着氧分压的升高，薄膜沉积速度呈现下降的趋势；不同的氧分压对其组成成分的影响也较大，低氧分压条件下有利于VO2的生长，而高氧分压条件下更容易获取V4O9、V7O13；随着氧分压的升高薄膜的红外光透过率呈升高趋势，VO2对红外光有较高的吸收率，而V4O9、V7O13对红外光吸收率较低；对比分析了退火前后对薄膜的光学特性，结果表明退火对氧化钒薄膜的红外透过率基本没有影响。二、基于三明治结构(VOx/W/VOx)制备了加入钨功能层的氧化钒薄膜，通过控制钨层的溅射时间来功能层的厚度。研究发现随着功能层厚度的增大，薄膜的表面粗糙度呈增大的趋势，10~50nm厚度钨层为纳米层；XRD显示退火后的VOx/W/VOx薄膜中出现了钨氧化物的成分，并且随着功能层厚度的增加，WO0.92(1014)和V7O13(213)的峰位均有所增强；随着功能层厚度的增加薄膜的红外光透过率呈下降趋势；对比分析了退火对薄膜光学特性的影响，发现退火工艺(500℃/60min，真空条件下)的真空能显著提高掺钨氧化钒薄膜的红外透过率。