目前,高功率密度、小尺寸和高效率是适配器电源的发展趋势。随着半导体技术的发展,如碳化硅、碳化镓MOSFET的出现,适配器电源可以工作在更高的频率。随着工作频率的提高,变压器绕组的高频效应变得更加严重,使变压器绕组的涡流损耗变大,降低适配器电源的效率。所以,分析与优化变压器绕组的高频效应是很有必要的。为了解决变压器绕组的高频效应,本论文提出原边和副边绕组交错的绕法。基于麦克斯韦电磁方程组,分析变压器绕组的集肤效应和邻近效应,得到变压器绕组的涡流损耗。运用MAXWELL电磁仿真软件,对三种结构的变压器进行分析与实验,结果表明:原边与副边绕组交错的绕法,可以减小绕组的损耗。变压器原边与副边绕组交错的绕法,使变压器的寄生电容增大,导致EMI共模电流变大。针对EMI共模电流的问题,本文提出在变压器原边与副边绕组之间加屏蔽绕组的方法减小共模电流,然后进行实验测试,结果表明:屏蔽层绕组的匝数、相位与副边相等,且绕满整个绕组宽度时,EMI传导性能是最佳的。电磁兼容是适配器开发过程中至关重要的环节,EMI滤波电感是抑制干扰的有效手段,但是滤波电感的寄生电容会削弱它的高频性能,所以本文提出两种减小寄生电容的方法:ω绕法和加补偿电容,分析与实验结果表明:EMI滤波电感的在高频段的性能得到了明显地改善,适配器电源获得了更多的EMI传导余量。