静电纺丝法,是一种新型制备纳米纤维的方法,装置简单,效率高,可以不间断的制备纳米纤维。静电纺丝法制备的纳米纤维材料具有很多优势,稳定的机械性能和力学性能,表面积大,孔径可以调节等优点。它在薄膜、高效滤料、作为基底材料,光学传感器等纳米杂化材料领域有着广泛的应用。稀土（RE）离子,特别是镧系（Ln）离子具有特别出色的发光特性,并具有非常尖锐的发射带,这使其在诸如光电设备和传感器等技术应用中具有吸引力。在本研究中,采用静电纺丝技术将稀土配合物分散到纳米纤维膜中,得到了荧光性能良好的聚合物复合材料。首先应用静电纺丝技术,制备了聚合物PVDF纳米纤维薄膜,并且研究分析了分子量,浓度,溶剂配比,电压,距离等因素对内部结构以及形貌的影响。成功制备出了纤维均一可调控的纳米纤维和具有高透明度的薄膜,并且研究了PVDF在高压以及拉伸条件下晶相的转变。分别通过原子力显微镜（AFM）,热重分析（TGA）和差示扫描量热法（DSC）研究了纤维膜的表面形态和热性能,为发光薄膜提供基底。通过电纺丝分别制备了包含Tb（acac）₃phen或Eu（tta）₃phen络合物掺杂二氧化硅纳米粒子的PVDF透明膜。首先化学合成了稀土络合物Tb（acac）₃phen-（acac=乙酰丙酮,phen=1,10-菲罗啉）和稀土络合物Eu（tta）₃phen-（tta=2-thenoyltrifluoroacetone,phen=1,10-菲罗啉）。并且水解得到二氧化硅纳米颗粒并且经络合物包裹,经过静电纺丝技术制备含有稀土配合物的PVDF发光纤维膜,通过SEM、TEM、FTIR、瞬态荧光光谱仪等表征方法进行了表征。分析得出,成功化合稀土络合物并且探究了配位方式,成功将络合物包裹在将制备的粒径均一的二氧化硅球表面,系统的分析了荧光强度,寿命和产率的关系,讨论了二氧化硅和PVDF对荧光性能影响的原理。引入刚性材料（例如二氧化硅）可以通过降低非辐射衰减率来改善杂化材料的荧光特性。在静电纺丝过程中,PVDF部分晶相发生了转变,转变的β相具有更稳定的结构和热稳定性,这显示出更加刚性的结构。因此,与纯配合物的发射相比,它的发射光谱得到增强,提高了量子产率。