【摘 要】
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由于以往电子俘获光存储材料存在一些实用上的问题,限制了它们的广泛应用。为了弥补这些不足,更深入的了解电子俘获材料的光学性质,进一步提高它们的光存储性能,本文研究了Eu
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由于以往电子俘获光存储材料存在一些实用上的问题,限制了它们的广泛应用。为了弥补这些不足,更深入的了解电子俘获材料的光学性质,进一步提高它们的光存储性能,本文研究了Eu掺杂的氟化物的光激励发光性质,材料中缺陷的性质和相应的光存储机制。采用高温固相扩散反应法制备了Eu2+掺杂的氟氧化物玻璃陶瓷(FOV)和BaLiF3:Eu2+,研究表明这些材料具有光激励发光(PSL)特性,并可用于电子俘获光存储,在可见光照射下可以将存储的光能释放出来。研究结果表明,BaLiF3:Eu2+存储的信息可以方便地擦除掉。该材料具有优良的光激励发光特性,是一类很有发展前途的电子俘获光存储材料。
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