随着GaN基紫外材料的成熟，GaN基紫外探测器迅速发展，半导体紫外探测技术成为继红外和激光探测技术后发展起来的又一新型光电探测技术。　　 本文首先阐述了焦平面读出电路的基本结构和工作原理，然后针对GaN基探测器的特点与本课题减小单元面积的目的，研制了适用于64×64元行滚动读出模式面阵探测器的读出电路结构。本文提出了以下方法来减小焦平面单元面积：①使用一级差分运放作为CTIA结构的运放；②减小积分电容和采样保持电容；③使用列共用方式的采样保持电路，将其从单元电路内移到单元外。最终的电路单元面积为371μm×37μm。　　 本课题完成电路设计、参数选择、功能仿真和版图设计后，采用CSMC0.6μm DPDM工艺完成流片。为了完成焦平面的研制，还设计制造了64×64元GaN紫外可见盲探测器面阵，并对其性能进行了测试。特别值得一提的是探测器低温特性的测试，这对于一些应用领域有着重要的参考价值。随后进行了电路测试及与探测器倒焊互连后的测试，结果表明，该电路能够完成预期的功能。　　 在测试过程中，发现可见光对紫外焦平面读出电路有很大影响。本文进行了研究，通过对可见光照射实验的结果分析了其机制，并通过仿真加以验证，最终提出了相应的消除可见光影响的措施。　　 对于本课题研制的64×64元GaN紫外焦平面，其读出电路可正常工作，探测器性能也良好。主要由于倒焊工艺中的一些困难，使焦平面连通率不高，尚无法做到成像。本文也提出了相应的办法。