【摘 要】
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电迁移引致的薄膜导线失效是影响半导体集成电路寿命和可靠性的重要因素,一直受到半导体工业的关注:并且随着半导体工业的技术进步,这一问题有着越来越重要的意义。本文从理
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电迁移引致的薄膜导线失效是影响半导体集成电路寿命和可靠性的重要因素,一直受到半导体工业的关注:并且随着半导体工业的技术进步,这一问题有着越来越重要的意义。本文从理论分析、数值计算和实验观察三个方面对电迁移引致的薄膜导线失效这一课题进行了研究。在理论上研究了在电迁移和应力迁移耦合作用下薄膜导线中界面上孔洞和裂纹两种失效形式的形核机理以及表面迁移引起的损伤形核与演化:数值上研究了单晶中孔洞在电迁移下的行为,模拟了孔洞的漂移、形状演化与形状失稳过程:实验上对超细柱状晶粒的多晶薄膜铝导线在电迁移下的损伤演化过程进行了详细观察和机理分析。
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