【摘 要】
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无线通信技术的飞速发展对射频前端电路提出了越来越高的要求—低功耗、小型化、高集成度。射频接收机位于无线通信系统的最前端,其结构和性能直接影响着整个通信系统。基于
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无线通信技术的飞速发展对射频前端电路提出了越来越高的要求—低功耗、小型化、高集成度。射频接收机位于无线通信系统的最前端,其结构和性能直接影响着整个通信系统。基于面向卫星导航应用的接收机射频前端芯片,本文研究了应用于低中频接收机系统中的,工作在L波段和S波段的射频前端单元电路有源镜像抑制混频器(active image rejected mixer),并且在此基础上采用JAZZ 0.35um SiGe BiCMOS工艺进行设计,为实现面向卫星导航应用的收发机系统的单片集成做好技术准备。本文首先简要介绍了JAZZ 0.35um SiGe BiCMOS工艺器件特性和低中频接收机结构的优势;之后介绍了混频器的工作原理、镜像抑制原理和几种常用结构,并且着重介绍了本次设计所采用的基于Gilbert单元的正交双平衡下变频混频器。并探讨了电路结构的改变对线性度、转换增益、噪声系数和隔离度等指标的影响,由于线性度是下变频混频器最重要的指标,所以重点介绍了几种基于基于Gilbert单元的线性化技术。所设计的镜像抑制混频器由基于Gilbert单元的正交下变频混频器和后级的多相滤波器构成,其中多相滤波器完成镜像抑制功能,级间使用发射级跟随器连接以满足电压匹配。工作在S波段的镜像抑制混频器在典型工作温度27℃条件下,具有高于15.34dBm的IIP3,通带内的镜像抑制度大于42dB,19.81dB的单边带噪声系数。在3.3V供电电压下,消耗电流为7.75mA;工作在L波段的镜像抑制混频器在典型工作温度27℃条件下,具有高于15.31dBm的IIP3,通带内的镜像抑制度大于40dB,22.15dB的单边带噪声系数。在3.3V供电电压下,消耗电流为7.46mA;
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