三氧化钨（WO₃）是一种具有广泛应用前景的功能材料，在诸如电致变色、有毒气体探测和光化学催化等方面已得到较系统的研究。近年来，人们逐步认识到WO₃陶瓷的非线性电学性质。由于WO₃的介电常数高，因此可以在微电子学领域中得到应用。但是，与其它的变阻器材料相比，对WO₃陶瓷的研究还远远不够，很多电学性质用现有的非线性理论不能完全解释。因此通过对钨基氧化物掺杂改善功能陶瓷电学性质，并对相关的物理机理进行分析研究，具有重要的科学意义和应用价值。本文从制备高价氧化物和碱金属化合物掺杂的WO₃多晶陶瓷样品出发，以其非线性电学性质为主要研究内容，试图进一步深入了解WO₃功能材料的电性质。1)采用一般的电子陶瓷制备工艺，制备了高价掺杂的WO₃基复合陶瓷，研究了不同高价氧化物掺杂对样品的电学行为的影响，并分析了相应样品的微观结构、相结构、非线性等电学性质。主要结论有：（1）高价氧化物掺杂对WO₃晶粒的影响。V₂O₅、Nb₂O₅、Ta₂O₅掺杂WO₃均抑制了WO₃晶粒的生长，（2）高价氧化物掺杂能抑制了三斜相WO₃的生成，使WO₃单相化，提高了WO₃陶瓷在高电场下的电学稳定性，这对WO₃陶瓷作为压敏电阻是十分有利的。（3）高价氧化物掺杂对于提高WO₃陶瓷的非线性系数的作用不大。非线性系数基本上在1～3之间。（4）当WO₃陶瓷中Ta₂O₅掺杂量为5％的时候，样品的伏安特性出现了负阻现象。2)研究了高价和低价氧化物混合掺杂的三氧化钨陶瓷的电学性质。实验结果表明，五价金属氧化物和碱金属氧化物共同掺杂的WO₃陶瓷具有较高的致密性和较大的非线性系数，而且电学性能稳定，没有出现负阻现象。3)研究了两种高价氧化物（V₂O₅，Ta₂O₅）混合掺杂WO₃陶瓷的显微形貌、相结构、Ⅰ-Ⅴ特性、阻抗谱。用电子陶瓷工艺制备了（V₂O₅，Ta₂O₅）双掺杂的WO₃电子陶瓷。研究了（V₂O₅，Ta₂O₅）双掺杂对WO₃陶瓷的微观结构与电学行为的影响。X射线衍射结果表明，（V₂O₅，Ta₂O₅）掺杂WO₃能明显的抑制三斜相的形成，使WO₃陶瓷单相化。Ⅰ-Ⅴ特性测试表明，掺杂V₂O₅和Ta₂O₅后，陶瓷的压敏电压明显增大，非线性系数显著减小。