原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)技术是一种先进的镀膜工艺,广泛应用于半导体、微电子等领域,并取得了令人称赞的效果。但对于超细金属粉体领域,该技术的研究还鲜有报道。由于超细金属粉体较高的表面活性,使得铜粉和铁粉在高温、潮湿环境下易氧化,这将损害材料的多种优良性能,所以需要解决在使用过程中的氧化问题。本文旨在通过原子层沉积技术制备性能优异的包覆型金属粉体材料,提高铁粉、铜粉的抗氧化性以及改善羰基铁粉吸波性能,并探索原子层沉积技术对粉体改性的应用前景。主要内容如下:(1)本文首次利用原子层沉积技术对微纳米级羰基铁粉(Carbonyl Iron Powder,CIP)进行表面包覆改性,以三甲基铝和水为前驱体,在羰基铁粉表面生长了无定型氧化铝薄层,通过调节ALD反应工艺参数,考察了不同工艺条件对包覆材料的影响,最终确定了适宜的工艺条件。进一步制备了25/50/75个ALD循环的羰基铁粉,通过扫描电子显微镜以及透射电镜分析,该氧化铝薄层致密均匀、与颗粒表面接触良好,包覆后的材料形貌轮廓清晰可见,显示出了原子层沉积技术优良的保型性,使用综合热分析仪对包覆后的羰基铁粉进行分析,结果显示包覆后的材料具有优异的抗氧化性,且随着包覆圈数的增加而增强,盐酸腐蚀实验表明包覆后的材料具有良好的抗腐蚀性。利用矢量网络分析仪等技术手段系统分析了改性前后羰基铁粉的电磁性能指标,结果表明改性后介电常数减小显著,磁导率变化相对较小,改善了原羰基铁粉的电磁参数,提高了材料的阻抗匹配性。(2)首次采用原子层沉积技术,以三甲基铝和水为前驱体对微细铜粉进行表面包覆,研究了直接包覆、异丙醇清洗、盐酸清洗等不同前处理工艺对材料包覆性能的影响。根据抗氧化性实验结果,发现盐酸清洗的前处理工艺可以得到热稳定性相对良好的复合材料,使得氧化起始温度推迟达110℃左右。通过体积电阻率的测量,发现包覆后的材料导电性有所减弱。然后进一步讨论了不同粒径铜粉的原子层沉积包覆结果,结果显示小粒径的材料需要较大的前驱体压力才能实现颗粒良好包覆。由于原子层沉积技术成膜质量好、重复性佳以及厚度精确可控等特点,可以将其应用于粉体的改性领域。