在科学技术日新月异的今天,以磁性材料为基础的自旋电子器件广泛地应用于生活的各个方面。而磁性薄膜结构以其独特的光学、力学、电磁学特性成为磁读写头、磁传感器等器件中最常见的基本结构。因此,对于单层、双层、多层的磁性薄膜的磁性质的研究亦成为人们关注的焦点。在影响磁性薄膜系统磁特性的众多因素当中,应力是不可避免也是一种最常见的因素。磁性薄膜结构中的应力因素主要来源于人为施加的外应力和制备过程中的残余应力。人为施加的外应力可以用来调控磁膜系统中磁特性,而残余应力则需要人们深入的了解并加以规避。本文主要研究了一种符合高斯分布的非均匀应力对单层磁性薄膜的影响,以及由于薄膜基底之间晶格失配引发的应力对铁磁／反铁磁双层膜性能的影响。第一章介绍了物质的磁特性、磁学理论发展史和自旋阀薄膜系统的基本结构以及自旋阀薄膜结构中的最重要现象之一——交换偏置效应。第二章详细地介绍了本文研究结果中主要采用的研究方法：蒙特-卡罗(Monte-Carlo)模拟法,自由能变分法等。第三章详细分析了利用弹性基底向基底上生长的磁性薄膜施加应力这种现在十分流行的手段所施加的非均匀应力对磁性薄膜磁性质的影响。为此,本文建立了以高斯函数为分布特征的应力模型进行模拟计算,得到了些有意义的结果,并同相关实验做了比较。第四章分析了由于晶格失配或残余应力等因素引起的应力对铁磁／反铁磁双层膜系统中矫顽场和偏置场的影响。结果表明,其应力可以通过改变磁薄膜系统中等效各向异性来影响铁磁／反铁磁双层膜系统中的矫顽场与交换偏置场,并同相关理论与实验结果做了比较。