在半导体湿法蚀刻中,氢氟酸广泛的用于对氧化硅的去除工艺和清洗,是比较成熟的工艺,然而实践中发现氢氟酸氧化硅的去除和清洗还很是会出现很多异常的问题。本文从生产实践中出现的缺陷出发,分析了影响蚀刻率和清洗的各个因素,并通过实验分析了各个因素对蚀刻率和清洗的具体影响。根据目前广泛应用于生产中的技术,介绍如何对相关因素进行控制调节,给得到稳定而良好的氢氟酸清洗效果。本文主要针对0.18Nor Flash前段的制造工艺在STI Oxide Pre Clean清洗过程中所遇到的浅沟道隔离层出现的小球状缺陷(tiny ball)进行分析研究,通过大量的的对比性实验,进行排查与分析,并利用各种先进的实验的设备和器材,Wet bench,高倍度电子扫描设备,先进的光学仪器和缺陷分析设备等,找到产生缺陷的原因,并且找到避免缺陷的产生的方法。从0.18 FLASH制程中的缺陷早期检测及缺陷的解决和预防的角度,提出一系列的解决方案,最终达到良率提升的目的,从而达到更优化制造工艺。