金属氧化物半导体由于其优异的物理性能及电学稳定性,被广泛应用在薄膜晶体管（Thin Film Transistor,TFT）的制备当中。而金属氧化物半导体TFT作为实现低成本、大面积柔性电子器件（例如有源矩阵显示器、电子纸、智能识别卡）的强有力竞争者,受到了广泛的关注。与传统的非晶硅TFT相比,金属氧化物TFT具有高迁移率、低温制备和可靠的稳定性等优点。在众多制备TFT的工艺中,溶液方法和静电纺丝方法由于制备成本低、电学性质优良、可大面积生产被视为具有前景的生产技术。本文首先通过静电纺丝方法以SiO₂为介电层制备了InTiO纳米纤维TFT。我们通过在In₂O₃中掺杂不同浓度的Ti来有效的调节TFT器件的电学性质。经研究发现,在Ti掺杂浓度为3%时,我们得到的TFT性能最好,开关比1.5×10⁸,阈值电压(V_TH)6.23V,饱和迁移率2.53cm²/Vs。为了进一步提高器件的性能,用高介电常数的ZrO_x作为介电层来代替SiO₂制备InTiO纳米纤维TFT,使得器件的性能有了很大的提升。迁移率达到了12.67cm²/Vs。最后,将以ZrO_x为介电层制备的InTiO纳米纤维TFT应用在了反相器上。另外,利用溶液方法制备了InZrO双层TFT。在底层采用高导电的低浓度Zr掺杂InZrO导电薄膜,上层采用高浓度Zr掺杂的InZrO薄膜,以SiO₂为介电层,来制作出电学性能优良的TFT器件。经过研究发现,Zr掺杂浓度为2%的InZrO薄膜导电性能最好。上层采用Zr掺杂浓度为15%的器件展现出了最优的电学性质,开关比达到了3×10⁸,饱和迁移率13cm²/Vs。用高介电常数的ZrO_x作为介电层后,电学性能有了进一步的提升。高性能的双沟道层InZrO TFT在平板显示方面展现出了巨大的应用前景。