ZnO是一种具有压电和光电特性的六方纤锌矿结构的直接带隙宽禁带半导体材料,室温下其禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,保证了其在室温下较强的激子发光,因此ZnO在紫外光电器件方面有巨大的应用潜力。 到目前为止,人们已经采用激光脉冲沉积,磁控溅射,金属有机气相沉积等技术来制备ZnO。从提高ZnO发光质量和调整ZnO性质的角度出发,本篇论文采用等离子体辅助电子束沉积技术,制备ZnS薄膜,然后进行低温热氧化,获得了ZnO薄膜。 实验检测结果表明,我们通过制备ZnS薄膜,并对其进行低温热氧化而得到的ZnO薄膜,其中退火温度为600℃样品的紫外部分表现出反常的发光性质,即紫外发光部分除了来自于自由激子发光峰外,在自由激子的低能端还有另外一个发光峰,且随着温度升高其发光强度不断增强,在室温下成为主要的发光峰。同时我们还对此样品共振拉曼散射特性进行了研究。在ZnS的nLO声子线低频端出现的肩峰是由于晶体表面的无序度引起的,且晶粒越小表面与体积的比就越大肩峰越明显。而在与ZnS的nLO相距为72cm^-1出现的信号是来自于ZnS的nLO+E₂^L。对于经氧和氩等离子体额外轰击制得的ZnS样品其在521cm^-1有一细锐的峰出现,其可能来自于阴离子S的空位,还有待于进一步的研究对其证实。