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随着现代显示技术的快速发展，平板显示器已成为显示器市场的主流产品。薄膜晶体管(TFT)作为平板显示器的有源驱动器件单元在平板显示领域中发挥着重要作用，其中ZnO基薄膜晶体管(ZnO-TFT)因具有相对高的载流子迁移率、可见光透明、环境友好等优势，被认为是最有希望应用于未来的TFT-LCD，特别是TFT-OLED平板显示领域的下一代TFT器件。本文以高纯ZnO为靶材，采用射频磁控溅射法沉积的ZnO薄膜作为半导体层，制备出底栅顶接触型ZnO-TFT，并对该器件的电特性进行了表征。结果表明：该薄膜晶体管工作于n-沟道增强模式，且呈现出良好的饱和特性，但栅泄漏电流相对偏大。该晶体管典型的器件性能参数为：沟道场效应迁移率为0.6cm2/(V·s)，阈值电压为18.0V，开关电流比106，亚阈值摆幅2.6V/decade。本文对两种氧分压比和两种基底温度下制备出的ZnO薄膜及其晶体管特性进行分析比较。结果表明：氩氧分压比为40/16和40/8的两种ZnO薄膜样品，前者结晶更好，晶粒更大，所对应ZnO-TFT呈现更高的场效应迁移率、开关态电流比，更低的亚阈值摆幅。基底温度为200℃时沉积的ZnO薄膜比室温下沉积的ZnO薄膜结晶性好，制备的ZnO-TFT呈现出优良的晶体管特性，而基底温度为室温的ZnO-TFT样品未能观察到晶体管特性。本文重点研究了ZnO-TFT的光诱导稳定性、热稳定性以及应力特性。光诱导稳定性的研究发现，在可见光照射下器件性能呈现出一定的不稳定性，随着光照强度的增加，漏电流增大，迁移率有少许增大，阈值电压存在微弱的减小；在热稳定性方面，随着测试温度的升高，该器件的有效场效应迁移率先稍有增大后明显减小，亚阈值摆幅明显增大，阈值电压、开关电流比均逐渐减小；源漏电压应力特性的研究发现，ZnO-TFT随着应力时间的增加，该器件的亚阈值摆幅、阈值电压、开关电流比和有效场效应迁移率均存在一定的不稳定性，但未发现明显的漂移现象。